El nitruro de galio, o GaN, es un material que se está empezando a utilizar en los semiconductores de los cargadores. A principios de los 90 se utilizaba frecuentemente en la fabricación de luces LED. Igualmente, es un material popular para las baterías de células solares de los satélites. El hecho diferenciador del GaN en lo que respecta a los cargadores de dispositivos es que produce menos calor. Esto quiere decir que es posible agrupar más los componentes del cargador para reducir su tamaño, sin que esto afecte negativamente a su capacidad de carga o al cumplimiento de los estándares de seguridad.
Esta es una pregunta excelente.
Antes de examinar en detalle en qué consiste la tecnología GaN integrada dentro del cargador vamos a ver cómo funciona un cargador. Todos los modelos de smartphone, tableta y portátil que usamos cada día tienen baterías. Cuando una batería transfiere electricidad a nuestros dispositivos lo que de verdad ocurre es una reacción química. Un cargador de dispositivos usa una corriente eléctrica para revertir dicha reacción química. Los primeros cargadores enviaban corriente a la batería de forma continua, lo que aumentaba el riesgo de sobrecargas y daños al dispositivo. Los más modernos incluyen sistemas de monitorización que reducen el suministro de corriente al tiempo que la batería se llena. Esto minimiza los riesgos de sobrecargas.
Desde los años 80 el silicio ha sido el material principal en la fabricación de los transistores. El silicio conduce la electricidad mejor que los materiales utilizados anteriormente, como los tubos de vacío. Asimismo, mantiene bajo el coste de fabricación porque no es caro de producir. Con el paso de los años el avance tecnológico se fue traduciendo en el alto rendimiento al que estamos acostumbrado hoy. En la actualidad es evidente que hemos aprovechado casi al máximo el silicio y es muy posible que los transistores fabricados con este material hayan llegado a su límite en lo que respecta a futuros avances. Son las propiedades mismas del material de silicio en lo relativo al calor y la transferencia de electricidad las que imposibilitan reducir más el tamaño de los componentes.
GaN es diferente. Es un material similar al cristal que es capaz de conducir voltajes mucho más altos. La corriente eléctrica puede transferirse a más velocidad por componentes fabricados con GaN que por los de silicio. Esto también permite un procesamiento más rápido. GaN es más eficiente y produce menos calor.
Básicamente, un transistor es un interruptor. Un chip es un componente en el que se juntan cientos o incluso miles de transistores en un espacio muy pequeño. Cuando se utiliza GaN en vez del silicio lo que ocurre es que todos estos transistores se pueden agrupar más cerca. Esto quiere decir que es posible conseguir una mayor potencia de procesamiento en un espacio más reducido. Un cargador más pequeño puede ofrecer más potencia y velocidad.
La mayoría de los usuarios tienen múltiples dispositivos electrónicos que necesitan cargar regularmente. Los cargadores con tecnología GaN ofrecen a estos un relación calidad-precio superior, tanto ahora como en el futuro.
Debido a que su diseño general es más compacto la mayoría de los cargadores GaN incorporan USB-C Power Delivery. Este estándar ofrece carga rápida para los dispositivos compatibles. La mayoría de smartphones actuales son compatibles con algún tipo de carga rápida y en el futuro este número solo aumentará.
Debido a que su diseño general es más compacto la mayoría de los cargadores GaN incorporan USB-C Power Delivery. Este estándar ofrece carga rápida para los dispositivos compatibles. La mayoría de smartphones actuales son compatibles con algún tipo de carga rápida y en el futuro este número solo aumentará.
Los cargadores GaN son fantásticos para viajar porque son muy ligeros y ocupan menos espacio. Para la mayoría de los usuarios un cargador que pueda cargar teléfonos, tabletas y portátiles es más que suficiente para cubrir todas sus necesidades.
Los niveles de calor son un factor determinante en la longevidad de la vida útil de cualquier dispositivo electrónico y los cargadores no son una excepción. La eficiencia de GaN para transferir electricidad permite evitar las altas temperaturas. Un cargador GaN moderno seguirá funcionando durante mucho más tiempo que cualquier otro cargador sin esta tecnología comercializado en los dos últimos años.
Belkin fue una de las primeras empresas en diseñar cargadores para dispositivos móviles y desde sus inicios ha sabido ganarse la confianza de los usuarios. La tecnología GaN solo es una parte del rompecabezas. Trabajamos codo a codo con los líderes de la industria para desarrollar productos que son más potentes, seguros y rápidos con cada dispositivo que les conectas.
Hemos aplicado nuestros renombrados procesos de investigación y desarrollo al diseño y fabricación de nuestra gama de cargadores GaN. Nuestra ingeniería mecánica y nuestros innovadores diseños eléctricos se combinan con las colaboraciones que mantenemos con los fabricantes de chipsets más importantes para crear los mejores productos y experiencias de uso posibles.
Nuestro cargador GaN de 60 W es un excelente ejemplo de las soluciones de nueva generación que Belkin crea. Es el cargador GaN de 60 W más pequeño del mercado* y ofrece la comodidad de una carga rápida, potente y segura con un diseño ultracompacto. Ideal para viajar o usar en casa o la oficina podrás cargar tu portátil, tableta, smartphone o cualquier otro dispositivos USB-C con un solo cargador increíblemente potente. Usando la innovadora tecnología GaN este cargador suministra hasta 60 W a cualquier dispositivo compatible. La protección integrada garantiza la seguridad de tus dispositivos frente a las subidas de tensión y las sobrecorrientes. La certificación de USB-C Power Delivery garantiza un rendimiento rápido y fiable con tus dispositivos.
Fabricados para ofrecer seguridad, eficiencia y durabilidad los cargadores de Belkin han sido acreditados o aprobados por organizaciones como Apple, Google y el USB-Implementers Forum (o USB-IF).
*Comparado con los competidores más importantes en el mercado estadounidense a fecha de 4 de febrero de 2020.